بررسي نقص در بلورهاي فوتونيكي يك بعدي

بلورهاي فوتونيكي، مواد دي‌الكتريكِ مصنوعي با ضريبِ شكستِ تناوبي هستند كه ويژگي هاي الكترومغناطيسي جديدي دارند. اين بلورها نشان داده اند كه نتيجه پراكندگي براگ در يك ساختارِ دي‌الكتريكِ متناوب، پاسخي به شكلِ گافِ باندِ فوتونيكي است. اين گاف‌ها از حضورِ فوتون‌ها در يك دامنه انرژي معيّن جلوگيري به عمل مي آورند. وقتي تناوبِ شبكه با وارد كردن يك نقص به درونِ بلورِ فوتونيكي شكسته مي‌شود، يك مُد نقصِ جايگزيده در محدوده گافِ نواري فوتونيكي ظاهر مي‌شود كه منجر به تغيير در رفتارِ تداخلي نور مي‌شود. اين تغييرات با ماهيّت و نوعِ نقص تعيين مي‌شود.