شماره ركورد
750779
عنوان مقاله
شبيه سازي ترانزيستور بدون پيوند نانولوله كربني با استفاده از روش تابع گرين غيرتعادلي
عنوان فرعي
Simulation of Junctionless Carbon Nanotube Field Effect Transistor Using Non-equilibrium Green’s Function Formalism
پديد آورندگان
بربستگان، صابر نويسنده دانشجوي كارشناسي ارشد دانشگاه آزاد اسلامي علوم و تحقيقات قزوين , , شاه حسيني، علي نويسنده استاديار دانشكده برق، دانشگاه آزاد اسلامي قزوين ,
اطلاعات موجودي
فصلنامه سال 1393 شماره 17
رتبه نشريه
علمي پژوهشي
تعداد صفحه
6
از صفحه
5
تا صفحه
10
كليدواژه
Carbon nanotube , Junctionless Transistors , Non-Equilibrium Green’s Function (NEGF
چكيده فارسي
در اين مقاله، ساختار ترانزيستوري بهنام ترانزيستور بدون پيوند نانولوله كربني را با استفاده از تابع گرين غيرتعادلي شبيهسازي كردهايم. ترانزيستورهاي بدون پيوند (JL-FET) ساختارهاي بديعي هستند كه ضمن تسهيل فرآيند ساخت مشخصات الكترونيكي مطلوبي فراهم ميكنند. ما با اعمال مفهوم بدون پيوند به ترانزيستورهاي اثرميداني نانولوله كربني (CNTFET)، مشخصات الكترونيكي يك ترانزيستور اثرميداني نانولوله كربني بدون پيوند (JL-CNTFET) را بررسي كرده و با ترانزيستور نانولوله كربني معمولي (C-CNTFET) مقايسه كردهايم. پارامترهايي نظير سويينگ زيرآستانه، نسبت جريان روشني به جريان خاموشي و مشخصه خروجي ترانزيستور براي ساختارهاي مذكور محاسبه شدهاند. همچنين حساسيت Ion/Ioff ترانزيستور JL-CNTFET به تغيير كايراليتي و چگالي ناخالصي بررسي شدهاست. نتايج حاصل از شبيهسازي نشان ميدهد كه ترانزيستورهاي نانولوله كربني بدون پيوند با داشتن ولتاژ آستانه و شيب زيرآستانه كوچكتر و همچنين جريان خروجي بيشتر در حدود دو برابر C-CNTFET گزينه مناسبي براي كاربردهاي ديجيتال هستند. به منظور شبيهسازي كامپيوتري از روش حل خودسازگار معادله پوآسن و شرودينگر از طريق روال NEGF تحت شرايط بالستيك استفاده شدهاست.
چكيده لاتين
Junctionless field effect transistors (JL-FETs) are novel structures which have simplified the fabrication process
and have appropriate electronic characteristics. By applying junctionless concept to Carbon nanotube field effect
transistors (CNTFETs), we have investigated the electronic characteristics of a JL-CNTFET, and compared its
characteristics to a conventional CNTFET. Electronic parameters such as subthreshold swing, Ion/Ioff ratio and
output characteristic are simulated for both JL-CNTFET and C-CNTFET. Sensitivity of Ion/Ioff ratio to CNT’s
chirality and doping density of channel also are investigated. We have simulated the JL-CNTFET structure
using the self-consistent solution of Poisson–Schr?dinger equations, within the non-equilibrium Green’s
function (NEGF) formalism.
سال انتشار
1393
عنوان نشريه
صنايع الكترونيك
عنوان نشريه
صنايع الكترونيك
اطلاعات موجودي
فصلنامه با شماره پیاپی 17 سال 1393
كلمات كليدي
#تست#آزمون###امتحان
لينک به اين مدرک