بررسي تاثير سطوح سيليكون بر جوانه زني و رشد اوليه اسپرس تحت تنش اسمزي(Onobrychis sativa L.)

بررسي اندكي در مورد اثرات سيليكون بر جوانه زني و رشد اوليه گياهان تحت تنش خشكي در دسترس است. اين مطالعه به تحت سطوح مختلف تنش اسمزي (Onobrychis sativa L.) منظور بررسي اثر سيليكون بر جوانه زني و رشد اوليه اسپرس انجام شد. بدين منظور آزمايشي به صورت فاكتوريل در قالب طرح كاملاً تصادفي در ? تكرار در آزمايشگاه گياه شناسي دانشگاه ? و ? ميلي مولار) و عامل دوم تنش اسمزي با / يزد در سال ???? انجام گرفت. عامل اول سيليكون با سه سطح (صفر، ? در سه سطح (صفر، ?- و ?- بار) در نظر گرفته شد. نتايج نشان داد كه با افزايش سطوح تنش اسمزي PEG- استفاده از 6000 كم (p < ?/ درصد و سرعت جوانه زني، بنيه بذر، طول ريشه چه و ساقه چه و همچنين وزن خشك آن ها به طور معني دار ( ?? ? و ? ميلي مولار / شدند. كاربرد سيليكون باعث كاهش اثرات منفي ناشي از تنش اسمزي شد. مصرف سيليكون با غلظت هاي ? توانست سرعت جوانه زني، متوسط زمان جوانه زني، شاخص بنيه بذر و طول ريشه چه و ساقه چه و همچنين وزن خشك آن ها را ?/ بهبود دهد. بالاترين اثر مطلوب كاربرد سيليكون در افزايش مقاومت به تنش اسمزي در غلظت ? (p < 0/ به طور معني دار ( ?? ميلي مولار مشاهده شد. نقش مثبت سيليكون در افزايش مقاومت به تنش اسمزي در ارتباط با دخالت اين ماده در فرآيندهاي بيوشيميايي گياهان است.