مطالعه محاسباتي جذب مولكول هاي HCN ، CO و ClCN در نانو لوله ي SiC داراي ناخالصي B به روش DFT

در اين تحقيق با بهره گيري از نظريه تابع چگالي (DFT)، روش B3LYP و سري پايه G* 6-31 اثر جذب مولكول هاي CO، ClCN، HCN را روي نانولوله هاي تك ديواره آرمچير (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسي قرار گرفته است. با توجه به روند تغييرات در فاصله بين اوربيتالهاي HOMO و LUMO مدل هاي مورد مطالعه مي توان نتيجه گرفت كه بيشترين رسانايي الكتريكي در مدل B dope C ClCN-Attached و كمترين رسانايي در مدل خالص ديده مي شود. نتايج جدول جذب سطحي نشان مي دهد كه بيشترين ميزان جذب سطحي در مدل B dope Si ClCN-Attached و كمترين ميزان جذب سطحي در مدل B dope Si HCN-Attached ديده مي شود. با توجه به نتايج اين پژوهش مي توان نتيجه گرفت كه مطلوب ترين گزينه مورد مطالعه مولكول ClCN مي باشد.