محاسبة ويژگي هاي الكتروني و ساختاري نيم رساناي منيزيم سلنيد(MgSe) در فازهگزاگونال ورتسايت (B4) با استفاده از نظريۀ تابعي چگالي (DFT)

در اين مقاله ويژگي‌ هاي ساختاري و الكتروني ازجمله ثابت شبكه، مدول حجمي، تراكم پذيري،بهينه‌ سازي حجم‌، ساختار نوارهاي انرژي، چگالي حالت ‌ها و چگالي ابرالكتروني نيم‌رساناي منيزيم سلنيد (MgSe) درفازهگزاگونال براي ساختارB4 مورد بررسي قرار مي ‌گيرد. محاسبه‌ ها بااستفاده ازروش‌امواجتخت تقويت شدۀخطيباپتانسيل كامل، درچارچوبنظريۀتابعيچگالي (DFT) وبااستفادهازنرمافزار ien2kصورتگرفت.نتيجه‌هايبه‌دستآمدهيك گاف نواري مستقيم eV 7/2در نقطۀرا نشان مي ‌دهد. هم‌چنين يك خصوصيت يوني را برايا ين تركيب نشان مي دهد، كه از ويژگي هاي تركيب ‌هاي II-IV است وبا نتيجه‌ هاي تجربي و نظري به‌ دست آمده از روش ‌هاي ديگران سازگاري خوبي دارد.

In this paper, we investigate structure and electronic properties such as lattice constant, bulk modules, compression, energy band structure also states and electronic density of the semi-conductor MgSe in hexagonal phase for B4 structure .We Calculate those mentioned above by applying the Full Potential-Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW) method in the framework of Density Functional Theory (DFT) and by applying Wein2k-08 package. The obtained results showed the existence of energy gap straight 2.7 eV in Γ point. And also an ionic feature for this compound that is one of the properties of the II-IV group and being compatible enough with other experimental and theoretical results.