Author/Authors :
K. Kakushima، نويسنده , , K. Okamoto، نويسنده , , Mitsutoshi M. Adachi، نويسنده , , K. Tachi، نويسنده , , J. Song، نويسنده , , S. Sato، نويسنده , , T. Kawanago، نويسنده , , P. Ahmet، نويسنده , , K. Tsutsui، نويسنده , , N. Sugii، نويسنده , , T. Hattori، نويسنده , , H. IWAI، نويسنده ,
Abstract :
The flat band voltage shifts of HfO2/SiO2/nSi capacitors with ultra-thin La2O3 insertion at HfO2/SiO2 interface have been confirmed using hard X-ray photoelectron spectroscopy (HX-PES). By increasing the amount of La2O3 insertion, the binding energy of Si 1s core spectra increases, which means that the surface potential of Si substrate also increases. A voltage drop difference of HfO2 and La2O3 at SiO2 interface can be estimated to be 0.40 V.
