Title of article :
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Author/Authors :
K. Shi، نويسنده , , X.L. Liu، نويسنده , , D.B. Li، نويسنده , , J. Wang، نويسنده , , H.P. Song، نويسنده , , X.Q. Xu، نويسنده , , Stephen H.Y. Wei، نويسنده , , C.M. Jiao، نويسنده , , S.Y. Yang، نويسنده , , H. Song، نويسنده , , Q.S. Zhu، نويسنده , , Z.G. WANG، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2011
Pages :
3
From page :
8110
To page :
8112
Abstract :
XPS was used to measure the energy discontinuity in the GaN/diamond heterostructure. The valence band offset (VBO) was determined to be 0.38 ± 0.15 eV and a type-II heterojunction with a conduction band offset (CBO) of 2.43 ± 0.15 eV was obtained.
Keywords :
Valence band offset , XPS , GaN/diamond heterojunction , Conduction band offset
Journal title :
Applied Surface Science
Serial Year :
2011
Journal title :
Applied Surface Science
Record number :
1014684
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=1014684
بازگشت