Organic Thin Film Transistors with Polyvinylpyrrolidone / Nickel Oxide Sol-Gel Derived Nanocomposite Insulator

دي الكتريك هاي اكسيد نيكل/ پلي وينيل پيروليدون (PVP / NIO) با استفاده از روش سل ژل از 2/0 گرم PVP در دماهاي مختلف 80، 150 و 200 درجه سانتي گراد ساخته شدند. خواص ساختاري و مورفولوژي سطح فيلم هاي هيبريدي توسط پراش اشعه X (XRD) و ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) مورد بررسي قرار گرفت. انرژي متفرق كننده طيف سنجي اشعه X (EDX) براي تجزيه و تحليل شيميايي كمي از يك ماده ناشناخته مورد استفاده قرار گرفت. نتايج به دست آمده نشان مي دهد كه امكان استفاده از دي الكتريك با نانوكامپوزيت پايدار PVP/NiO به عنوان عايق دي الكتريك ورودي در ترانزيستورهاي لايه نازك آلي (OTFTs) وجود دارد.

Polyvinylpyrrolidone / Nickel oxide (PVP/NiO) dielectrics were fabricated with sol-gel method using 0.2 g of PVP at different working temperatures of 80, 150 and 200 ?C. Structural properties and surface morphology of the hybrid films were investigated by X- Ray diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscope (SEM) respectively. Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) was used to make a quantitative chemical analysis of an unknown material. The obtained results demonstrate the feasibility of using high dielectric constant nanocomposite PVP/NiO as gate dielectric insulator in the organic thin film transistors (OTFTs).