Title of article :
Anti-binding of biexcitons in (2 1 1)B InAs/GaAs piezoelectric quantum dots
Author/Authors :
G.E. Dialynas، نويسنده , , C. Xenogianni، نويسنده , , S. Tsintzos، نويسنده , , E. Trichas، نويسنده , , P.G. Savvidis، نويسنده , , G. Constantinidis، نويسنده , , J. Renard، نويسنده , , B. Gayral، نويسنده , , Z. Hatzopoulos، نويسنده , , N.T. Pelekanos، نويسنده ,
Issue Information :
دوهفته نامه با شماره پیاپی سال 2008
Pages :
3
From page :
2113
To page :
2115
Abstract :
We report on single dot spectroscopy of polar (2 1 1)B InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy. Exciton and biexciton peaks have been identified, revealing a negative biexciton binding energy attributed to the presence of strong piezoelectric field.
Keywords :
Quantum dots , Piezoelectric effect , Exciton related effects
Journal title :
Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures
Serial Year :
2008
Journal title :
Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures
Record number :
1047308
Link To Document :
بازگشت