Author/Authors :
A.، Martinez, نويسنده , , J.، Landreau, نويسنده , , J.-C.، Harmand, نويسنده , , D.، Jahan, نويسنده , , V.، Sallet, نويسنده , , O.، Le Gouezigou, نويسنده , , B.، Dagens, نويسنده , , L.، Ferlazzo, نويسنده , , A.، Ramdane, نويسنده , , J.-G.، Provost, نويسنده , , K.، Merghem, نويسنده ,
Abstract :
High frequency characterisation of three-quantum well GaInNAs/GaAs lasers operating at 1.35 (mu)m is reported. A relaxation frequency as high as 7.4 GHz and a 9.7 GHz small-signal bandwidth are demonstrated, indicating the potential for high bit rate (10 Gbit/s) direct modulation of these dilute nitrides on GaAs devices.
