Author/Authors :
Tzalenchuk، نويسنده , , Alexander and Lara-Avila، نويسنده , , Samuel and Cedergren، نويسنده , , Karin and Syv?j?rvi، نويسنده , , Mikael and Yakimova، نويسنده , , Rositza and Kazakova، نويسنده , , Olga and Janssen، نويسنده , , T.J.B.M. and Moth-Poulsen، نويسنده , , Kasper and Bj?rnholm، نويسنده , , Thomas and Kopylov، نويسنده , , Sergey and Fal’ko، نويسنده , , Vladimir and Kubatkin، نويسنده , , Sergey، نويسنده ,
Abstract :
Here we review the concepts and technologies, in particular photochemical gating, which contributed to the recent progress in quantum Hall resistance metrology based on large scale epitaxial graphene on silicon carbide.
Keywords :
A. Graphene , E. Metrology , D. Photochemical gate , D. Quantum hall effect
