Corrigendum to “Evolution of epitaxial graphene layers on 3C SiC/Si (1 1 1) as a function of annealing temperature in UHV” [Carbon 68 (2014) 563–572]
Author/Authors :
Gupta، نويسنده , , B. and Notarianni، نويسنده , , M. and Mishra، نويسنده , , N. and Shafiei، نويسنده , , M. and Iacopi، نويسنده , , F. and Motta، نويسنده , , N.، نويسنده ,
