Author/Authors :
Nabiyouni، G. نويسنده Department of Physics, Faculty of Science, Arak University, Arak 3815688349, Iran , , Kabiri، A. نويسنده Department of Physics, Faculty of Science, Arak University, Arak 3815688349, Iran , , Ghasemi، J. نويسنده , , Boroujerdian، P. نويسنده Faculty of Ineffective Defense, Malek-e-Ashtar Technical University, Tehran, Iran , , FATTAHI، A. نويسنده ,
Abstract :
هدف اين تحقيق، تهيه نانو سيم هاي SnO2 به روش رسوب گذاري با عبور بخار حاصل از واكنش هاي شيميايي حرارتي (TCRVTD) از پودرSnO مي باشد. ريخت شناسي (مورفولوژي) ، تركيب شيميايي و خواص نانوساختاري سيم ها با استفاده از تكنيك هاي ميكروسكوپ الكتروني روبشي گسيل ميدان (FE-SEM)، طيف سنجي انرژي پراكنده كننده (EDX) و پراش پرتوهاي ايكس (XRD) مطالعه گرديدند. نتايج پراش پرتوهاي ايكس مشخص نمود كه نانوسيم هاي SnO2 با ساختار بلوري تتراگونال با ثابت هاي شبكه اي a=b=0.440 nm و c=0.370 nm رشد يافته اند. تصاوير SEM بر رشد موفقيت آميز نانوسيم ها بر زيرلايه Si دلالت مي كنند. نقش EDS وجود عناصر Au, O, Sn را در نانوسيم ها آشكار مي كند. قطر نانو سيم ها در محدوده بين 20 nm تا 100 nm اندازه گيري شدند.
Abstract :
The aim of this research is preparation of SnO2 nanowires by means
of Thermal chemical reaction vapor transport deposition (TCRVTD)
method from SnO powders. The morphology, chemical composition
and microstructure properties of the nanowires are characterized
using field emission scanning electron microscope (FE-SEM), EDS,
and XRD. The XRD diffraction patterns reveal that the SnO2
nanowires have been grown in the form of tetragonal crystal
structures with the lattice parameter of a=b=0.440 nm, and c=0.370
nm. The SEM images reveal that SnO2 nanowires have successfully
been grown on the Si substrate. The EDS patterns show that only
elements of Sn, O and Au are detected. Prior to the VLS process the
substrate is coated by a thin layer of Au. The diameter of nanowires
is measured to be something between 20-100 nm.
