Title of article :
Development of n+-in-p large-area silicon microstrip sensors for very high radiation environments – ATLAS12 design and initial results
Author/Authors :
Unno، نويسنده , , Y. and Edwards، نويسنده , , S.O. and Pyatt، نويسنده , , S. and Thomas، نويسنده , , J.P. and Wilson، نويسنده , , J.A. and Kierstead، نويسنده , , J. and Lynn، نويسنده , , D. and Carter، نويسنده , , J.R. and Hommels، نويسنده , , L.B.A. and Robinson، نويسنده , , Elsa D. and Bloch، نويسنده , , I. and Gregor، نويسنده , , I.M. and Tackmann، نويسنده , , Martin K. and Betancourt، نويسنده , , C. and Jakobs، نويسنده , , K. and Kuehn، نويسنده , , S. and Mori، نويسنده , , R. and Parzefall، نويسنده , , U. and Wiik-Fucks، نويسنده , , L. and Clark، نويسنده , , A. and Ferrere، نويسنده , , D. and Gonzalez Sevilla، نويسنده , , S. G. Ashby، نويسنده , , J. and Blue، نويسنده , , Diana A. Averill-Bates، نويسنده , , R. and Buttar، نويسنده , , C. and Doherty، نويسنده , , F. and Eklund، نويسنده , , L. and McMullen، نويسنده , , T. and McEwan، نويسنده , , F. and O?Shea، نويسنده , , V. and Kamada، نويسنده , , S. and Yamamura، نويسنده , , K. and Ikegami، نويسنده , , Y. and Nakamura، نويسنده , , K. and Takubo، نويسنده , , Y. and Nishimura، نويسنده , , R. and Takashima، نويسنده , , R. and Chilingarov، نويسنده , , A. and Fox، نويسنده , , H. and Affolder، نويسنده , , A.A. and Allport، نويسنده , , P.P. and Casse، نويسنده , , G. and Dervan، نويسنده , , P. and Forshaw، نويسنده , , D. and Greenall، نويسنده , , A. and Wonsak، نويسنده , , Dominic S. and Wormald، نويسنده , , M. and Cindro، نويسنده , , V. and Kramberger، نويسنده , , G. and Mandic، نويسنده , , I. and Mikuz، نويسنده , , M. and Gorelov، نويسنده , , I. and Hoeferkamp، نويسنده , , L. M. S. Palni، نويسنده , , P. and Seidel-Morgenstern، نويسنده , , S. and Taylor، نويسنده , , A. and Toms، نويسنده , , K. and Wang، نويسنده , , R. and Hessey، نويسنده , , N.P. and Valencic، نويسنده , , N. and Arai، نويسنده , , Y. and Hanagaki، نويسنده , , K. and Dolezal، نويسنده , , Z. and Kodys، نويسنده , , P. and Bohm، نويسنده , , J. and Mikestikova، نويسنده , , M. and Bevan، نويسنده , , A. and Beck، نويسنده , , G. and Ely، نويسنده , , S. and Fadeyev، نويسنده , , V. and Galloway، نويسنده , , Z. and Grillo، نويسنده , , A.A. and Martinez-McKinney، نويسنده , , F. and Ngo، نويسنده , , J. and Parker، نويسنده , , C. and Sadrozinski، نويسنده , , H.F.-W. and Schumacher، نويسنده , , D. and Seiden، نويسنده , , A. and French، نويسنده , , R. and Hodgson، نويسنده , , P. and Marin-Reyes، نويسنده , , H. and Parker، نويسنده , , K. and Paganis، نويسنده , , S. and Jinnouchi، نويسنده , , O. and Motohashi، نويسنده , , K. and Todome، نويسنده , , K. and Yamaguchi، نويسنده , , D. and Hara، نويسنده , , K. and Hagihara، نويسنده , , M. and Garcia، نويسنده , , C. and Jimenez، نويسنده , , J. and Lacasta، نويسنده , , C. and Marti i Garcia، نويسنده , , S. and Soldevila، نويسنده , , U.، نويسنده ,
Pages :
11
From page :
80
To page :
90
Abstract :
We have been developing a novel radiation-tolerant n+-in-p silicon microstrip sensor for very high radiation environments, aiming for application in the high luminosity large hadron collider. The sensors are fabricated in 6 in., p-type, float-zone wafers, where large-area strip sensor designs are laid out together with a number of miniature sensors. Radiation tolerance has been studied with ATLAS07 sensors and with independent structures. The ATLAS07 design was developed into new ATLAS12 designs. The ATLAS12A large-area sensor is made towards an axial strip sensor and the ATLAS12M towards a stereo strip sensor. New features to the ATLAS12 sensors are two dicing lines: standard edge space of 910 μm and slim edge space of 450 μm, a gated punch-through protection structure, and connection of orphan strips in a triangular corner of stereo strips. We report the design of the ATLAS12 layouts and initial measurements of the leakage current after dicing and the resistivity of the wafers.
Keywords :
p-Type , Radiation-tolerant , HL-LHC , PTP , Silicon strip , n+-in-p
Journal title :
Astroparticle Physics
Record number :
2009244
Link To Document :
بازگشت