Author/Authors :
Velthuis، نويسنده , , J.J. and Kohrs، نويسنده , , R. and Mathes، نويسنده , , M. and Raspereza، نويسنده , , A. and Reuen، نويسنده , , L. and Andricek، نويسنده , , L. and Koch، نويسنده , , M. and Dolezal، نويسنده , , Z. and Fischer، نويسنده , , P. J. Frey، نويسنده , , A. and Giesen، نويسنده , , F. and Kodys، نويسنده , , P. and Kreidl، نويسنده , , John C. and Krüger، نويسنده , , H. and Lodomez، نويسنده , , P. and Lutz، نويسنده , , G. and Moser، نويسنده , , H.G. and Richter، نويسنده , , R.H. and Sandow، نويسنده , , C. and Scheirich، نويسنده , , D. and von Tِrne، نويسنده , , E. and Trimpl، نويسنده , , M. and Wei، نويسنده , , Q. and Wermes، نويسنده , , N.، نويسنده ,
Abstract :
In a DEPleted Field Effect Transistor (DEPFET) sensor a MOSFET is integrated on a sidewards depleted p-on-n silicon detector, thereby combining the advantages of a fully depleted silicon sensor with in-pixel amplification. A 450 μm thick DEPFET was tested in a testbeam. The S/N was found to be larger than 110. The position resolution is better than 5 μm. At a seed cut of 7σ, the efficiency and purity are both close to 100%. In the readout chip a zero-suppression capability is implemented. The functionality was demonstrated using a radio-active source. The predicted impact parameter resolution of a 50 μm thick DEPFET vertex detector, is much better than required for the International Linear Collider (ILC).
