Author/Authors :
Bettarini، نويسنده , , S. and Batignani، نويسنده , , G. and Calderini، نويسنده , , G. and Carpinelli، نويسنده , , M. Angela Cenci، نويسنده , , R. and Forti، نويسنده , , F. and Giorgi، نويسنده , , M.A. and Lusiani، نويسنده , , A. and Marchiori، نويسنده , , G. and Morsani، نويسنده , , F. and Neri، نويسنده , , N. and Paoloni، نويسنده , , E. and Rama، نويسنده , , M. and Rizzo، نويسنده , , G. and Simi، نويسنده , , G. and Walsh، نويسنده , , J. and Ratti، نويسنده , , Claudio L. and Speziali، نويسنده , , V. and Manghisoni، نويسنده , , M. and Re، نويسنده , , V. and Traversi، نويسنده , , G. and Bosisio، نويسنده , , Alma L. and Giacomini، نويسنده , , G. and Lanceri، نويسنده , , L. and Rachevskaia، نويسنده , , I. and Vitale، نويسنده , , L.، نويسنده ,
Abstract :
We present a new approach to the design of monolithic active pixel sensors (MAPS) in CMOS technology. By exploiting the triple well option, available in modern deep-submicron processes, it was possible to implement at the pixel level a full analog signal processor and to increase the area of the sensing electrode. These two new features aim to address some limiting aspects of conventional MAPS, such as the read-out speed and the charge collection efficiency. We report on the characterization of the first prototype chip, in particular the calibration with soft X-rays and the response to β -rays, demonstrating the capability of the sensor in detecting ionizing radiation.
