Author/Authors :
Ostoja، نويسنده , , P. and Maccagnani، نويسنده , , P. and Gazzano، نويسنده , , M. and Cavallini، نويسنده , , M. and Kengne، نويسنده , , J.C. and Kshirsagar، نويسنده , , R. and Biscarini، نويسنده , , F. and Melucci، نويسنده , , M. and Zambianchi، نويسنده , , M. and Barbarella، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Abstract :
Bottom contact FET devices were realized, using vacuum evaporated thin films of unsubstituted quinquethiophene and two modified derivatives deposited at different substrate temperatures. X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) data on th
Keywords :
FET device , X-ray thin film structure , atomic force microscopy , Quinquethiophenes
