Title of article :
Development of a vertical gradient freeze process for low EPD GaAs substrates
Author/Authors :
Bünger، نويسنده , , Th. and Behr، نويسنده , , Timothy D. and Eichler West، نويسنده , , St. and Flade، نويسنده , , T. and Fliegel، نويسنده , , W. and Jurisch، نويسنده , , M. and Kleinwechter، نويسنده , , A. and Kretzer، نويسنده , , U. and Steinegger، نويسنده , , Th. and Weinert، نويسنده , , B.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2001
Pages :
5
From page :
5
To page :
9
Abstract :
The main characteristics of low EPD 4 in semi-insulating and Si-doped conductive GaAs single crystals grown by a proprietary low thermal gradient vertical gradient freeze (VGF) technique on an industrial scale are presented.
Keywords :
Semi-insulating GaAs , Si-doped GaAs , GaAs crystal growth , VGF method , Low EPD
Journal title :
MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: B
Serial Year :
2001
Journal title :
MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING: B
Record number :
2136440
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=2136440
بازگشت