Author/Authors :
Adelmann، نويسنده , , E. Martinez-Guerrero، نويسنده , , E and Chabuel، نويسنده , , F and Simon، نويسنده , , J and Bataillou، نويسنده , , B and Mula، نويسنده , , G and Dang، نويسنده , , Le Si and Pelekanos، نويسنده , , N.T and Daudin، نويسنده , , B and Feuillet، نويسنده , , G and Mariette، نويسنده , , H، نويسنده ,
Abstract :
Self-assembled cubic GaN quantum dots have been grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on cubic AlN. Atomic force microscopy and transmission electron microscopy reveal islands of a mean height of 1.6 nm and a mean diameter of 13 nm. The influence of stacking faults on island nucleation is discussed. The quantum dots show ultraviolet photo- and cathodo-luminescence with no thermal quenching up to room temperature.
