Author/Authors :
Pearton، نويسنده , , S.J. and Ren، نويسنده , , F. and Zhang، نويسنده , , A.P. and Dang، نويسنده , , G. and Cao، نويسنده , , X.A. and Lee، نويسنده , , K.P. and Cho، نويسنده , , H. and Gila، نويسنده , , B.P. and Johnson، نويسنده , , J.W. and Monier، نويسنده , , C. and Abernathy، نويسنده , , C.R. and Han، نويسنده , , J. and Baca، نويسنده , , A.G. and Chyi، نويسنده , , J.-I. and Lee، نويسنده , , C.-M. and Nee، نويسنده , , T.-E. and Chuo، نويسنده , , C.-C. and، نويسنده ,
Abstract :
A brief review is given of recent progress in fabrication of high voltage GaN and AlGaN rectifiers, GaN/AlGaN heterojunction bipolar transistors and GaN metal-oxide semiconductor field effect transistors. Improvements in epitaxial layer quality and in fabrication techniques have led to significant advances in device performance.
Keywords :
Rectifiers , Bipolar transistors , MOSFETs. , GaN
