Author/Authors :
Prest، نويسنده , , M.J and Palmer، نويسنده , , M.J and Grasby، نويسنده , , T.J and Phillips، نويسنده , , P.J and Mironov، نويسنده , , O.A and Parker، نويسنده , , E.H.C and Whall، نويسنده , , T.E and Waite، نويسنده , , A.M and Evans، نويسنده , , A.G.R and Watling، نويسنده , , J.R. and Asenov، نويسنده , , A and Barker، نويسنده , , J.R، نويسنده ,
Abstract :
We briefly review recent work on enhancements in transconductance, maximum voltage gain, carrier mobility and velocity overshoot in Si/Si0.64Ge0.36/Si p-channel metal-oxide-semiconductor devices and then discuss the superior 1/f noise properties in more detail. The results indicate the growth and processing challenges which must be met in order to improve device performance.
Keywords :
SiGe , Low frequency noise , Transconductance , MOSFET
