Title of article :
Simulation of electrical parameters of new design of SLHC silicon sensors for large radii
Author/Authors :
Militaru، نويسنده , , O. and Bergauer، نويسنده , , T. and Bergholz، نويسنده , , M. and Blüm، نويسنده , , P. and de Boer، نويسنده , , W. and Borras، نويسنده , , K. and Cortina Gil، نويسنده , , E. and Dierlamm، نويسنده , , A. and Dragicevic، نويسنده , , M. and Eckstein، نويسنده , , D. and Erfle، نويسنده , , J. and Fernandez، نويسنده , , M. and Feld، نويسنده , , Michael L. and Frey، نويسنده , , M. and Friedl، نويسنده , , M. and Fretwurst، نويسنده , , E. and Gaubas، نويسنده , , E. and Gonzalez، نويسنده , , F.J. and Grabiec، نويسنده , , P. and Grodner، نويسنده , , M. LOPEZ-HARTMANN، نويسنده , , F. and Hنnsel، نويسنده , , S. and Hoffmann، نويسنده , , K.-H. and Hrubec، نويسنده , , J. and Jaramillo، نويسنده , , R. and Karpinski، نويسنده , , W. and Kazukauskas، نويسنده , , V. and Klein، نويسنده , , K. and Khomenkov، نويسنده , , V. and Klanner، نويسنده , , R. and Krammer، نويسنده , , M. and Kucharski، نويسنده , , K. and Lange، نويسنده , , W. and Lemaitre، نويسنده , , V. and Moya، نويسنده , , D. and Marczewski، نويسنده , , J. and Mussgiller، نويسنده , , A. and Rodrigo، نويسنده , , T. and Müller، نويسنده , , T. and Sammet، نويسنده , , J. and Schleper، نويسنده , , P. and Schwandt، نويسنده , , J. and Simonis، نويسنده , , H.-J. and Srivastava، نويسنده , , A. and Steinbrück، نويسنده , , G. and Tomaszewski، نويسنده , , D. and Sakalauskas، نويسنده , , S. and Storasta، نويسنده , , J. and Vaitkus، نويسنده , , J. and Lopez Virto، نويسنده , , A. and Vila، نويسنده , , I. and Zasinas، نويسنده , , E.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2010
Pages :
2
From page :
563
To page :
564
Abstract :
As a result of the high luminosity phase of the SLHC, for CMS a tracking system with very high granularity is mandatory and the sensors will have to withstand an extreme radiation environment of up to 1016 part/2. On this basis, a new geometry with silicon short strip sensors (strixels) is proposed. To understand their performances, test geometries are developed whose parameters can be verified and optimized using simulation of semiconductor structures. We have used the TCAD-ISE (SYNOPSYS package) software in order to simulate the main electrical parameters of different strip geometries, for p-in-n-type wafers.
Keywords :
Silicon detectors , TCAD simulations , Strixel
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Serial Year :
2010
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Record number :
2170820
Link To Document :
بازگشت