Author/Authors :
Anti?i?، نويسنده , , T and Battiston، نويسنده , , R and Braunschweig، نويسنده , , W and Chang، نويسنده , , Y.H and Chien، نويسنده , , C.-Y and Chen، نويسنده , , A.E. and Hou، نويسنده , , S.R. and Lin، نويسنده , , C.H and Lin، نويسنده , , W.T and Ostonen، نويسنده , , R and Spartiotis، نويسنده , , K and Syben، نويسنده , , O and Toker، نويسنده , , O and Wittmer، نويسنده , , B، نويسنده ,
Abstract :
We present a test beam study of energy straggling and multiple scattering in silicon strip detectors using electrons and pions of momenta up to 50 GeV. Results are compared with GEANT simulation using a simple algorithm to parameterize energy loss distribution. The deflection due to multiple scattering in crystalline structure was investigated by placing a GaAs wafer at various angles.
