Author/Authors :
Bacchetta، نويسنده , , N. and Bisello، نويسنده , , D. and Candelori، نويسنده , , A. and Cavone، نويسنده , , M. Francesca Betta، نويسنده , , G.-F.Dalla and Rold، نويسنده , , M.Da and Liso، نويسنده , , M.de and Dell’Orso، نويسنده , , R. and Fuochi، نويسنده , , P.G. and Messineo، نويسنده , , A. and Mihul، نويسنده , , A. and Militaru، نويسنده , , O. and Paccagnella، نويسنده , , A. and Tonelli، نويسنده , , G. and Verdini، نويسنده , , P.G. and Verzellesi، نويسنده , , G. and Wheadon، نويسنده , , R، نويسنده ,
Abstract :
High-voltage operation can be a solution to obtain full charge collection in strongly irradiated silicon detectors. The maximum bias voltage which can be applied is limited by the breakdown point of the junction. We show how multiguard structures can enhance the breakdown voltage in p+–n silicon devices designed for applications in the LHC environment.
