Investigation of Electrical and Optical Characteristics of Nanohybride Composite (Polyvinyl Alcohol / Nickel Oxide)

برخي مسايل نشت، جريان تونلي ، نفوذ بور SiO2 را براي استفاده به عنوان يك دريچه دي الكتريك خوب براي آينده ترانزيستور هاي CMOS (نيمه هادي هاي كامل فلز-اكسيد) تهديد مي كند. براي پيدا كردن راه چاره و دريچه دي الكتريك جديد نانو پودر هاي NiO (نيكل اكسيد) وPVA (پلي ونيل الكل) با روش سل-ژل سنتز شدند و خواص نانو ساختار ها بوسيله پراش پرتو ايكس XRD ميكروسكوپ نيروي اتمي AFM ، ميكروسكوپ الكتروني روبشي SEM ، اسپكتروفتومتر UV-VISو تكنيك GPS132 مطالعه شد. نتايج بدست آمده نشان داد كه نمونه (5gr نيكل اكسيد و 0.02gr پلي ونيل الكل در دماي 30 درجه سانتي گراد آماده شدند ، عمل آنيله كردن در آون در دماي 80 درجه سانتي گراد انجام شد) مي تواند اين گپ را با توجه به ثابت دي الكتريك بالا تر ، مورفولوژي بهتر ، سطح خشن كمتر و جريان نشتي كمتر پر كند.

Some issues; leakage, tunneling currents, boron diffusion are threatening SiO2 to be used as a good gate dielectric for the future of the CMOS (complementary metal- oxide- semiconductor) transistors. For finding an alternative and novel gate dielectric, the NiO (Nickel oxide) and PVA (polyvinyl alcohol) nano powders were synthesized with the sol-gel method and their nano structural properties were studied using the X-ray diffraction (XRD), Atomic force microscopy (AFM), Scanning electron microscopy (SEM), UV-Vis spectrophotometer and GPS 132 techniques. The obtained results indicated that the sample (5 g NiO and 0.02g PVA prepared at 30?C, annealed in an oven at a temperature of 80?C) can fill this gap due to its higher dielectric constant, better morphology, less rough surface and less leakage current.