Title of article :
Electrical characteristics of silicon pixel detectors
Author/Authors :
Gorelov، نويسنده , , I and Gorfine، نويسنده , , G and Hoeferkamp، نويسنده , , M and Mata-Bruni، نويسنده , , Martin and Santistevan، نويسنده , , G and Seidel، نويسنده , , S.C. and Ciocio، نويسنده , , A and Einsweiler، نويسنده , , K and Emes، نويسنده , , J and Gilchriese، نويسنده , , M and Joshi، نويسنده , , A and Kleinfelder، نويسنده , , S and Marchesini، نويسنده , , R and McCormack، نويسنده , , F and Milgrome، نويسنده , , O and Palaio، نويسنده , , N and Pengg، نويسنده , , F and Richardson، نويسنده , , J and Zizka، نويسنده , , G and Ackers، نويسنده , , M and Comes، نويسنده , , G and Fischer، نويسنده , , P and Keil، نويسنده , , M and Martinez، نويسنده , , G and Peric، نويسنده , , I and Runolfsson، نويسنده , , O and Stockmanns، نويسنده , , T and Treis، نويسنده , , J and Wermes، نويسنده , , Stefan Gossling، نويسنده , , C and Hügging، نويسنده , , C. and Klaiber-Lodewigs، نويسنده , , R. and Krasel، نويسنده , , O and Wüstenfeld، نويسنده , , J and Wunstorf، نويسنده , , R and Barberis، نويسنده , , D and Beccherle، نويسنده , , R and Caso، نويسنده , , C and Cervetto، نويسنده , , M and Darbo، نويسنده , , G and Gagliardi، نويسنده , , G and Gemme، نويسنده , , C and Morettini، نويسنده , , P and Netchaeva، نويسنده , , P and Osculati، نويسنده , , B and Rossi، نويسنده , , L and Charles، نويسنده , , E and Fasching، نويسنده , , D and Blanquart، نويسنده , , L and Breugnon، نويسنده , , P and Calvet، نويسنده , , D and Clemens، نويسنده , , J.-C and Delpierre، نويسنده , , P and Hallewell، نويسنده , , G and Laugier، نويسنده , , D and Mouthuy، نويسنده , , T and Rozanov، نويسنده , , A and Valin، نويسنده , , I and Andreazza، نويسنده , , A and Caccia، نويسنده , , M and Citterio، نويسنده , , M and Lari، نويسنده , , T and Meroni، نويسنده , , C and Ragusa، نويسنده , , F and Troncon، نويسنده , , C and Vegni، نويسنده , , G and Lutz، نويسنده , , G and Richter، نويسنده , , R.H. and Rohe، نويسنده , , T and Boyd، نويسنده , , G.R and Skubic، نويسنده , , P.L and ???cho، نويسنده , , P and Tomasek، نويسنده , , L and Vrba، نويسنده , , V and Holder، نويسنده , , M and Ziolkowski، نويسنده , , M and Cauz، نويسنده , , D and Cobal-Grassmann، نويسنده , , M and D’Auria، نويسنده , , S and De Lotto، نويسنده , , B and del Papa، نويسنده , , C and Grassmann، نويسنده , , H and Santi، نويسنده , , L and Becks، نويسنده , , K.H and Lenzen، نويسنده , , G and Linder، نويسنده , , C، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
16
From page :
202
To page :
217
Abstract :
Prototype sensors for the ATLAS silicon pixel detector have been electrically characterized. The current and voltage characteristics, charge-collection efficiencies, and resolutions have been examined. Devices were fabricated on oxygenated and standard detector-grade silicon wafers. Results from prototypes which examine p-stop and standard and moderated p-spray isolation are presented for a variety of geometrical options. Some of the comparisons relate unirradiated sensors with those that have received fluences relevant to LHC operation.
Keywords :
Silicon , pixel , Semiconductor , Tracking
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Serial Year :
2002
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Record number :
2197187
Link To Document :
بازگشت