Title of article
Electrical characteristics of silicon pixel detectors
Author/Authors
Gorelov، نويسنده , , I and Gorfine، نويسنده , , G and Hoeferkamp، نويسنده , , M and Mata-Bruni، نويسنده , , Martin and Santistevan، نويسنده , , G and Seidel، نويسنده , , S.C. and Ciocio، نويسنده , , A and Einsweiler، نويسنده , , K and Emes، نويسنده , , J and Gilchriese، نويسنده , , M and Joshi، نويسنده , , A and Kleinfelder، نويسنده , , S and Marchesini، نويسنده , , R and McCormack، نويسنده , , F and Milgrome، نويسنده , , O and Palaio، نويسنده , , N and Pengg، نويسنده , , F and Richardson، نويسنده , , J and Zizka، نويسنده , , G and Ackers، نويسنده , , M and Comes، نويسنده , , G and Fischer، نويسنده , , P and Keil، نويسنده , , M and Martinez، نويسنده , , G and Peric، نويسنده , , I and Runolfsson، نويسنده , , O and Stockmanns، نويسنده , , T and Treis، نويسنده , , J and Wermes، نويسنده , , Stefan Gossling، نويسنده , , C and Hügging، نويسنده , , C. and Klaiber-Lodewigs، نويسنده , , R. and Krasel، نويسنده , , O and Wüstenfeld، نويسنده , , J and Wunstorf، نويسنده , , R and Barberis، نويسنده , , D and Beccherle، نويسنده , , R and Caso، نويسنده , , C and Cervetto، نويسنده , , M and Darbo، نويسنده , , G and Gagliardi، نويسنده , , G and Gemme، نويسنده , , C and Morettini، نويسنده , , P and Netchaeva، نويسنده , , P and Osculati، نويسنده , , B and Rossi، نويسنده , , L and Charles، نويسنده , , E and Fasching، نويسنده , , D and Blanquart، نويسنده , , L and Breugnon، نويسنده , , P and Calvet، نويسنده , , D and Clemens، نويسنده , , J.-C and Delpierre، نويسنده , , P and Hallewell، نويسنده , , G and Laugier، نويسنده , , D and Mouthuy، نويسنده , , T and Rozanov، نويسنده , , A and Valin، نويسنده , , I and Andreazza، نويسنده , , A and Caccia، نويسنده , , M and Citterio، نويسنده , , M and Lari، نويسنده , , T and Meroni، نويسنده , , C and Ragusa، نويسنده , , F and Troncon، نويسنده , , C and Vegni، نويسنده , , G and Lutz، نويسنده , , G and Richter، نويسنده , , R.H. and Rohe، نويسنده , , T and Boyd، نويسنده , , G.R and Skubic، نويسنده , , P.L and ???cho، نويسنده , , P and Tomasek، نويسنده , , L and Vrba، نويسنده , , V and Holder، نويسنده , , M and Ziolkowski، نويسنده , , M and Cauz، نويسنده , , D and Cobal-Grassmann، نويسنده , , M and D’Auria، نويسنده , , S and De Lotto، نويسنده , , B and del Papa، نويسنده , , C and Grassmann، نويسنده , , H and Santi، نويسنده , , L and Becks، نويسنده , , K.H and Lenzen، نويسنده , , G and Linder، نويسنده , , C، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages
16
From page
202
To page
217
Abstract
Prototype sensors for the ATLAS silicon pixel detector have been electrically characterized. The current and voltage characteristics, charge-collection efficiencies, and resolutions have been examined. Devices were fabricated on oxygenated and standard detector-grade silicon wafers. Results from prototypes which examine p-stop and standard and moderated p-spray isolation are presented for a variety of geometrical options. Some of the comparisons relate unirradiated sensors with those that have received fluences relevant to LHC operation.
Keywords
Silicon , pixel , Semiconductor , Tracking
Journal title
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Serial Year
2002
Journal title
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Record number
2197187
Link To Document