Title of article :
Far infrared spectroscopy of thin epitaxial layers of GaN deposited by molecular beam epitaxy on GaP substrates
Author/Authors :
G. Mirjalili، نويسنده , , T. Dumelow، نويسنده , , T.J. Parker، نويسنده , , S. Farjami Shayesteh، نويسنده , , T.S. Cheng، نويسنده , , C.T. Foxon، نويسنده , , L.C. Jenkins، نويسنده , , D.E. Lacklinson، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1996
Pages :
6
From page :
389
To page :
394
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Serial Year :
1996
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Record number :
327441
Link To Document :
بازگشت