Characteristics of diode structures based on the p-Pbte(Ga)–In contact

B. A. Akimov، نويسنده , , E. V. Bogdanov، نويسنده , , V. A. Bogoyavlenskiy، نويسنده , , L. I. Ryabova، نويسنده , , V. I. Shtanov، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1998

6

287

292

Schottky barrier , Current–voltage characteristics , Photoconductivity , Impurities and defects

Infrared Physics & Technology

1998

Infrared Physics & Technology

327570