Title of article :
Effect of Auger recombination on thermal processes in InGaAs and InAsSbP IR-emitting diodes
Author/Authors :
G. A. Sukach، نويسنده , , A. B. Bogoslovskaya، نويسنده , , P. F. Oleksenko، نويسنده , , Yu. Yu. Bilynets، نويسنده , , V. N. Kabacij، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2000
Keywords :
InGaAs , Dislocations , InAsSbP , recombination , IR-emitting diodes , Overheat temperature , Heterostructures
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Journal title :
Infrared Physics & Technology
