مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - GaAsN/AlAs/AlGaAs double barrier quantum wells grown by molecular beam epitaxy as an alternative to infrared absorption below 4 μm

Title of article :

GaAsN/AlAs/AlGaAs double barrier quantum wells grown by molecular beam epitaxy as an alternative to infrared absorption below 4 μm

Author/Authors :

A. Guzman، نويسنده , , E. Luna، نويسنده , , J. Miguel-Sanchez، نويسنده , , E. Calleja، نويسنده , , E. Munoz، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

Pages :

From page :

377

To page :

382

Keywords :

MBE , N-dilute alloys , Quantum detectors

Journal title :

Infrared Physics & Technology

Serial Year :

2003

Journal title :

Infrared Physics & Technology

Record number :

327845

Link To Document :