Title of article :
Gas source MBE grown wavelength extended 2.2 and 2.5 μm InGaAs PIN photodetectors
Author/Authors :
Yonggang Zhang، نويسنده , , Yi Gu، نويسنده , , Cheng Zhu، نويسنده , , Guoqiang Hao، نويسنده , , Aizhen Li، نويسنده , , Tiandong Liu، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages :
6
From page :
257
To page :
262
Keywords :
Molecular beam epitaxy , Short wavelength infrared , Photodetectors , III–V compounds
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Serial Year :
2006
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Record number :
328004
Link To Document :
بازگشت