Title of article :
Normal incidence silicon doped p-type GaAs/AlGaAs quantum-well infrared photodetector on (1 1 1)A substrate
Author/Authors :
T. Mei، نويسنده , , H. Li، نويسنده , , G. Karunasiri، نويسنده , , W.J. Fan، نويسنده , , D.H. Zhang، نويسنده , , S.F. Yoon، نويسنده , , K.H. Yuan، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages :
5
From page :
119
To page :
123
Keywords :
Infrared photodetector , Intersubband transition , Quantum well
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Serial Year :
2007
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Record number :
328114
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=328114
