مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Laser-induced damage in InSb at 1.06 μm wavelength

Title of article :

Laser-induced damage in InSb at 1.06 μm wavelength—a comparative study with Ge, Si and GaAs

Author/Authors :

A. V. Kuanr، نويسنده , , S. K. Bansal and G. P. Srivastava، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1996

Pages :

From page :

345

To page :

353

Journal title :

OPTICS & LASER TECHNOLOGY

Serial Year :

1996

Journal title :

OPTICS & LASER TECHNOLOGY

Record number :

334515

Link To Document :