مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - The dV/dt capability of MOS-gated thyristors

Title of article :

The dV/dt capability of MOS-gated thyristors

Author/Authors :

Venkataraghavan، نويسنده , , P، نويسنده , , Jayant Baliga، نويسنده , , B.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1998

Pages :

From page :

660

To page :

666

Keywords :

MOS gate , Switching , thyristors.

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

1998

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

339880

Link To Document :