مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Parametric description of the effect of electron irradiation on recombination lifetime in silicon layers: an experimental approach

Title of article :

Parametric description of the effect of electron irradiation on recombination lifetime in silicon layers: an experimental approach

Author/Authors :

Daliento، نويسنده , , S، نويسنده , , Sanseverino، E. Riva نويسنده , , A، نويسنده , , Anthony Spirito، نويسنده , , P، نويسنده , , Zeni، نويسنده , , L.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

117

To page :

123

Keywords :

radiation effects , semiconductordevice modeling. , Charge carrier lifetime

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

1999

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

339952

Link To Document :

https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=339952