Title of article :
Modeling the [dV/dt] of the IGBT during inductive turn off
Author/Authors :
Ramamurthy، نويسنده , , A، نويسنده , , Sawant، نويسنده , , S، نويسنده , , Baliga، نويسنده , , B.J، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1999
Pages :
6
From page :
601
To page :
606
Keywords :
Insulated gate bipolar transistors , semiconductorswitches. , power semiconductordevices , semiconductor device modeling
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year :
1999
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number :
340005
Link To Document :
بازگشت