مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Parasitic extraction methodology for insulated gate bipolar transistors

Title of article :

Parasitic extraction methodology for insulated gate bipolar transistors

Author/Authors :

Trivedi، نويسنده , , M، نويسنده , , Shenai، K. نويسنده , , K.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2000

Pages :

From page :

799

To page :

804

Keywords :

Module , parasitic extraction. , package parasitics , IGBT

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

2000

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

340152

Link To Document :