Title of article :
Temperature dependent characterization of bipolar silicon power semiconductors-a new physical model validated by device-internal probing between 400-100 K
Author/Authors :
Schlogl، نويسنده , , A.E، نويسنده , , Mnatsakanov، نويسنده , , T.T، نويسنده , , Kuhn، نويسنده , , H، نويسنده , , Schroder، نويسنده , , D.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2000
Pages :
8
From page :
1267
To page :
1274
Keywords :
Bipolar power dev ices , carrier concentration , continuity equation , Infrared absorption , Mobility , optical validation , Temperature. , Physical modeling
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year :
2000
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number :
340199
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=340199
بازگشت