Title of article :
Advanced operational techniques and pn-pn-pn structures for high-power silicon carbide gate turn-off thyristors
Author/Authors :
Shah، نويسنده , , P.B، نويسنده , , Geil، نويسنده , , B.R، نويسنده , , Ervin، نويسنده , , M.E، نويسنده , , Griffin، نويسنده , , T.E، نويسنده , , Bayne، نويسنده , , S.B، نويسنده , , Jones، نويسنده , , K.A، نويسنده , , Oldham، نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
7
From page :
1073
To page :
1079
Keywords :
Power semiconductor devices , power semiconductorswitches , semiconductor device modeling , semiconductordevice reliability , thyristors.
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year :
2002
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number :
340402
Link To Document :
بازگشت