Title of article
A Thermal Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Module
Author/Authors
. Z. Luo، نويسنده , , H. Ahn، نويسنده , , and M. A. El Nokali، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages
6
From page
902
To page
907
Keywords
insulated gatebipolar transistor (IGBT) , Finite element method (FEM) , transient thermal impedance. , thermal resistor–capacitor ( )network
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year
2004
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number
340516
Link To Document