مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - A Thermal Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Module

Title of article :

A Thermal Model for Insulated Gate Bipolar Transistor Module

Author/Authors :

. Z. Luo، نويسنده , , H. Ahn، نويسنده , , and M. A. El Nokali، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

Pages :

From page :

902

To page :

907

Keywords :

insulated gatebipolar transistor (IGBT) , Finite element method (FEM) , transient thermal impedance. , thermal resistor–capacitor ( )network

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

2004

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

340516

Link To Document :