مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Integrated CoolMOS FET/SiC-Diode Module for High Performance Power Switching

Title of article :

Integrated CoolMOS FET/SiC-Diode Module for High Performance Power Switching

Author/Authors :

.Z. Liang، نويسنده , , H. B. Lu، نويسنده , , J. D. van Wyk، نويسنده , , and F. C. Lee، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

Pages :

From page :

679

To page :

686

Keywords :

structural electromagnetic parameters. , Power electronics module integration , powersemiconductor switching

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

2005

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

340675

Link To Document :