Title of article :
A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections
Author/Authors :
L. Dulau، نويسنده , , S. Pontarollo، نويسنده , , A. Boimond، نويسنده , , J. F. Garnier، نويسنده , , N. Giraudo، نويسنده , , and O. Terrasse، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages :
7
From page :
38
To page :
44
Keywords :
bipolar CMOS DMOS(BCD) , peak current , two-level driver. , cross conduction , Active Miller clamp , insulated gate bipolar transistor (IGBT) , overshoot
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year :
2006
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number :
340771
Link To Document :
بازگشت