مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري

Title of article :

Analytical Loss Model of Power MOSFET .

Author/Authors :

Y. Ren، نويسنده , , M. Xu، نويسنده , , J. Zhou، نويسنده , , and F. C. Lee، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

Pages :

From page :

310

To page :

319

Keywords :

Finite element analysis (FEA) , metal-oxide semiconductorfield-effect transistor (MOSFET).

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

2006

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

340801

Link To Document :