Title of article :
An Analytical Model for the Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LIGBT) on Thin SOI
Author/Authors :
V. Pathirana، نويسنده , , E. Napoli، نويسنده , , F. Udrea، نويسنده , , and S. Gamage، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Keywords :
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) , modeling , power integrated circuits (ICs) , power semiconductor devices , semiconductor switches.
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
