Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si (111) wafer

X. H. Luo، نويسنده , , R. M. Wang ، نويسنده , , X. P. Zhang، نويسنده , , H. Z. Zhang، نويسنده , , D.z P. Yu ، نويسنده , , M. C. Luo، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

6

475

480

Transmission electron microscopy , Electron energy loss spectroscopy , Molecular beam epitaxy , Gallium nitride

Micron

2004

Micron

357184