Title of article :
SPICE modelling of impact ionisation effects in silicon bipolar transistors
Author/Authors :
Verzellesi، G. نويسنده , , G.; Dal Fabbro، نويسنده , , A.; Pavan، نويسنده , , P.; Vendrame، نويسنده , , L.; Zabotto، نويسنده , , E.; Zanini، نويسنده , , A.; Chantre، نويسنده , , A.; Zanoni، نويسنده , , E.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1996
Pages :
8
From page :
33
To page :
40
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
1996
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371085
Link To Document :
بازگشت