Semi-empirical model of electron mobility in MOSFETS in strong inversion regime

Banqueri، نويسنده , , J.; Lopez-Villanueva، نويسنده , , J.; Gamiz، نويسنده , , F.; Palma، نويسنده , , A.; Carceller، نويسنده , , J.E.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1996

5

202

206

I E T Circuits, Devices and Systems

1996

I E T Circuits, Devices and Systems

371111