Design and evaluation of a novel enhancement mode FET logic gate configuration in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology

Bushehri، نويسنده , , E.; Thiede، نويسنده , , A.; Bratov، نويسنده , , V.; Staroselsky، نويسنده , , V.; Rieger-Motzer، نويسنده , , M.; Huelsmann، نويسنده , , A.; Schlichter، نويسنده , , T.; Raynor، نويسنده , , B.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1997

4

243

246

Logic gute configuration , Field effect transistors , Gallium arsenide cimiits

I E T Circuits, Devices and Systems

1997

I E T Circuits, Devices and Systems

371185