Title of article :
Minimisation of base transit time in AlGaAs/GaAs heterostructure bipolar transistor (HBT
Author/Authors :
Zebda، نويسنده , , Y.; Elnagar، نويسنده , , A.; Hussein، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1997
Keywords :
Base doping , Heterojunction bipolar transistors , transit time
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
