Title of article
Minimisation of base transit time in AlGaAs/GaAs heterostructure bipolar transistor (HBT
Author/Authors
Zebda، نويسنده , , Y.; Elnagar، نويسنده , , A.; Hussein، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 1997
Pages
3
From page
375
To page
377
Keywords
Base doping , Heterojunction bipolar transistors , transit time
Journal title
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year
1997
Journal title
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number
371207
Link To Document