Title of article :
MOS and bipolar gated thyristor: a thyristor with IGBT switching characteristics
Author/Authors :
Palmer، نويسنده , , P.R.; Hinchley، نويسنده , , D.A.; Stark، نويسنده , , B.H، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1998
Pages :
6
From page :
105
To page :
110
Keywords :
MOS bipolar gated thyristor , Switching , Semiconductor
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
1998
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371226
Link To Document :
بازگشت